产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
Serial RAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
主控芯片
32bit MCU
8bit MCU
传感器
霍尼韦尔
芯伯乐
芯感智
信号链
电源
电源管理
分立器件
方案开发
应用案例
定制方案
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于WAKNOVA
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@waknova.com
首页
网站地图
EN
资讯动态
行业案例
>
资讯动态
>
资讯动态
主页 >
案例&资讯
›
资讯动态
›
列表
IS61WV10248EDBLL高速异步SRAM
美国ISSI存储器公司的主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。该公司还设计和销售NOR闪存存储器产品以及高性能模拟和混合信号集
2020-07-07
查看详情 >
双端口SRAM如何提高系统的整体性能
SRAM 以其高速、静态的优点广泛应用于各种数字设备中，多被用作不同部件之间的缓冲，尤其在计算机体系架构中扮演着重要的角色，即嵌入到CP
2020-07-03
查看详情 >
不同类别存储器基本原理
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。
2020-06-18
查看详情 >
串口SRAM和并口SRAM的区别
首先来看一下并口和串口的区别：引脚的区别：并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是
2020-06-16
查看详情 >
外扩SRAM ISSI代理商IS62WV102416EBLL
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态RAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，
2020-06-12
查看详情 >
武汉新芯50nm高性能SPI Nor Flash
武汉新芯一家领先的非易失性存储供应商，宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI Nor Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆
2020-06-10
查看详情 >
305条
上一页
1
..
33
34
35
36
37
38
39
40
41
..
51
下一页
