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带ECC的CMOS汽车异步SRAM
ISSI IS61 64WV5128EDBLL是高速，4,194,304位静态RAM，组织为524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可提供高性能和高性能低功耗设备。
2020-03-23
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QDR与DDR SRAM
由赛普拉斯、瑞萨、IDT、NEC和三星公司组成的QDR协会开发出了QDR SRAM，旨在通过把性能提升为原先的4倍来满足那些不仅需要标准ZBT(零总线
2020-03-19
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2019年Nand存储器市场跌幅最大
存储器市场在2019年占半导体销售额的26 7％，收入同比下降了31 5％。 在内存领域的DRAM收入下降了37 5％，这是由于从2018年底开始一直持续
2020-03-11
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疫情下DDR3芯片现货市场行情
春节前的存储价格一路高涨，各大存储厂的库存压力逐渐缩小，而市场上的现货库存有限导致了许多终端提前备货。在2月开工的存储产业的需求也
2020-03-09
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基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计
基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为1 05V时,和传统6T单元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同时,在单元读写操作时,错误率较低。
2020-02-28
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SPI FLASH读写介绍
对flash芯片的操作，一般包括对flash芯片的擦除，编程和读取，各大厂商的SPI flash芯片都大同小异，操作命令基本是没什么变化的，当我们拿到一款芯片，要特别注意芯片的容量，操作分区等。
2020-02-24
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